2SJ661-1E

功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A

制造商:on semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):38A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 19A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4360pF @ 20V

功率 - 最大值:1.65W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA

供应商器件封装:TO-262-3

标准包装:50

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